IPW65R099C6 دیتاشیت

IPW65R099C6

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPW65R099C6
حجم فایل 35.398 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 20

مشاهده دیتاشیت IPW65R099C6

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPW65R099C6
  • Power Dissipation (Pd): 278W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Continuous Drain Current (Id): 38A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@1.2mA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 99mΩ@10V,12.8A
  • Package: TO-247
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه